晶圆研磨切割

系统级封装产品通常需要将芯片堆叠来进行小型化设计,为了保证堆叠之后封装体的厚度仍然具有优势,原始晶片需要减薄,最常见的方法是采用先磨后切的工艺,即Dicing after Grinding,DAG工艺,如下图所示 :

然而晶圆表面的RDL金属层和金属层之间的钝化层(PI)与硅的热膨胀系数差异较大,当晶圆减薄至一定厚度时,由于上述材料热失配引起的晶圆变形会导致进一步研磨时晶片破裂。这种情况下,通常采用先半切再磨的工艺,即Dicing before Grinding,DBG工艺,如下图所示:

IC晶圆的切割通常采用金刚石刀片在水中切割,然而MEMS晶圆里面存在微活动部件,如振膜、微镜片等对水和其它异物敏感,需要采用激光隐形切割方法,即Stealth Laser Dicing,SLD工艺,其流程如下:

若采用激光隐形切割来做半切,则可引申出SDBG工艺,其工艺流程如下:

以上DAG、DBG、SLD、SDBG工艺涉及到的相关设备及能力如下:

gotop