仿真分析

(一)电仿真分析: 包括封装的S参数提取,Crosstalk分析,SSO分析,眼图分析,电容归一化,电源电流分布及直流压降分析,封装EMC分析优化,及DIE-PKG 协同仿真等 。

(1)信号完整性(SI)分析

  • 封装RLC参数提取:提取封装的RLC参数,得到封装的等效电路模型;
  • 信号网络的TDR分析:获得封装布线在不同区域的特性阻抗,并定位阻抗失配的区域;
  • 信号网络的S参数提取:通过S参数的差损、回损,评估信号质量是否满足电性能要求;
  • 信号隔离度分析:通过分析不同信号的近端和远端串扰,判断是否满足串扰指标要求;

(2)电源完整性(PI)分析

  • DC-IR drop分析:分析封装内电流网络的直流压降,并对不满足指标的网络进行优化;
  • 电流密度分析:分析封装内电源-地网络的电流密度,对超出指标的区域进行优化;
  • 电源网络AC阻抗分析:分析电源网络自阻抗,判断是否满足目标阻抗,提供电容优化方案;
  • 谐振分析:分析封装内电源地平面的谐振频率、位置和谐振幅度;

(3)电磁兼容性(EMC)分析

分析封装和PCB上电磁场的分布是否满足电磁屏蔽需求,提供EMC优化方案。

(二)热设计仿真:对有散热需求的器件/模组进行热设计仿真,如图所示:

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